什么是單晶硅生長爐？

單晶硅生長爐是通過直拉法生產(chǎn)單晶硅的制造設(shè)備。主要由主機、加熱電源和計算機控制系統(tǒng)三大部分組成。

高溫晶體生長爐干什么用的？

高溫晶體生長爐主要用于LED行業(yè)的藍寶石晶體制備。

高溫晶體生長爐哪個牌子好？

西格馬高溫晶體生長爐為高溫氧化物晶體生長設(shè)備。高溫晶體生長爐爐體鐘罩式升降，放置坩堝和維護熱場。底部坩堝升降，籽晶在坩堝底部，坩堝桿帶水冷。采用分子泵或油擴散泵，控制系統(tǒng)帶有PLC和摸觸屏。

西格馬生長爐系列產(chǎn)品有：單晶生長爐、晶體生長爐、單晶硅生長爐、藍寶石爐、藍寶石生長爐、碳化硅生長爐、多晶硅生長爐、半導(dǎo)體生長爐、硅單晶生長爐、石墨烯生長爐、vb生長爐、單晶體生長爐、cvd生長爐、野性生長爐石、藍寶石晶體生長爐。

西格馬高溫晶體生長爐主要技術(shù)參數(shù)

1、額定加熱溫度：?1800℃

2、功率：??80Kw±10%單相整流

3、冷態(tài)極限真空度： ≤5×10E-a

4、.壓升率：?? ? ≤2Pa/h

5、爐體尺寸：?? Ф750×1065mm（直徑×高）

6、工作尺寸：?? Ф320×300

7、測溫系統(tǒng)：?? ?熱電偶

8、控溫精度：?? ?±0.1℃，采用日本島電溫控儀表

9、加熱區(qū)：?? ? ?一區(qū)

10、坩堝升降參數(shù)：?位移行程 400mm

?慢速升降0.1/10mm/h（伺服控制）精度±0.01mm

?快速升降50/200mm/min（伺服控制）

11、底出料參數(shù)：?? ?位移行程 850mm

? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?升降速度100/1000mm/min

12、爐內(nèi)充氣壓力：? ? ≤0.05MPa

13、充放氣系統(tǒng)：??兩路（一路采用電磁閥充放氣，一路預(yù)留充放氣接口）